北京航空航天大學(xué)電子信息工程學(xué)院導(dǎo)師:張悅

發(fā)布時(shí)間:2021-11-22 編輯:考研派小莉 推薦訪問(wèn):
北京航空航天大學(xué)電子信息工程學(xué)院導(dǎo)師:張悅

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北京航空航天大學(xué)電子信息工程學(xué)院導(dǎo)師:張悅 正文

?個(gè)人簡(jiǎn)介
姓名:張悅
性別:男
職稱(chēng):副教授
通信地址:F1011
聯(lián)系電話(huà):82339478
郵箱:yz@buaa.edu.cn

?教育背景
2009年畢業(yè)于華中科技大學(xué)光電信息工程系獲學(xué)士學(xué)位,2014年獲得法國(guó)南巴黎大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位。2014年至2015年在法國(guó)國(guó)家科學(xué)院進(jìn)行博士后研究。2015年3月至今任北航卓越百人副教授。

?主要研究方向
涉及自旋電子器件建模、超低功耗自旋存儲(chǔ)邏輯電路設(shè)計(jì)、賽道存儲(chǔ)器、全自旋邏輯器件等。

?學(xué)術(shù)成果
迄今出版學(xué)術(shù)書(shū)籍2部,發(fā)表論文50余篇,其中SCI檢索論文30篇,一篇IEEE trans. Electron Devices文章被評(píng)為“ESI高引用論文”。獲得2013年國(guó)家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金。獲得3次國(guó)際會(huì)議最佳論文獎(jiǎng)。多次被DATE、ISCAS等國(guó)際知名會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告。擔(dān)任IEEE trans. Electron Devices、IEEE trans. Nanotechnology、IEEE trans. Multi-Scale Computing Systems等多部國(guó)際期刊審稿人。

?主要研究領(lǐng)域
自旋電子學(xué)、超低功耗儲(chǔ)存器、新型計(jì)算邏輯系統(tǒng)

?正在研究項(xiàng)目
2015-2016年 北航卓越百人計(jì)劃:垂直磁各向異性全自旋邏輯器件

?最近發(fā)表論著
1.Yue Zhang, Weisheng Zhao, Jacques-Olivier Klein, Claude Chappert and Dafiné Ravelosona, “Peristaltic perpendicular-magnetic-anisotropy racetrack memory based on chiral domain wall motions”, Journal of Physics D: Applied Physics, vol. 48, 105001, 2015.
2.Yue Zhang, Bonan Yan, Wang Kang, Yuanqing Cheng, Jacques-Olivier Klein, Youguang Zhang, Yiran Chen, Weisheng Zhao, “Compact Model of Subvolume MTJ and Its Design Application at Nanoscale Technology Nodes”, IEEE Transactions on Electron Device, vol. 62, pp. 2048-2055, 2015.
3.Yue Zhang, Weisheng Zhao, Jacques-Olivier Klein, Claude Chappert and Dafiné Ravelosona, “Current Induced Perpendicular-Magnetic-Anisotropy Racetrack Memory with Magnetic Field Assistance", Applied Physics Letter, vol.104, pp.032409, 2014.
4.Yue Zhang, Weisheng Zhao, Jacques-Olivier Klein, Claude Chappert and Dafiné Ravelosona, “Implementation of Magnetic Field Assistance to Current-Induced Perpendicular-Magnetic-Anisotropy Racetrack Memory”, Journal of Applied Physics, vol.115, 17D509, 2014.
5.Yue Zhang, Weisheng Zhao, Guillaume Prenat, Thibault Devolder, Jacques-Olivier Klein, Claude Chappert, Bernard Dieny and Dafiné Ravelosona, “Electrical Modeling of Stochastic Spin Transfer Torque Writing in Magnetic Tunnel Junctions for Memory and Logic Applications”, IEEE Transactions on Magnetics, vol.49, pp.4375-4378, 2013.
6. Yue Zhang, Weisheng Zhao, Dafiné Ravelosona, Jacques-Olivier Klein, Joo-Von Kim and Claude Chappert, “Compact Modeling of Perpendicular Anisotropy CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junction”, IEEE Transactions on Electron Device,vol.59, pp.819-826, 2012.
7. Yue Zhang, Weisheng Zhao, Dafiné Ravelosona, Jacques-Olivier Klein, Joo-Von Kim and Claude Chappert, “Perpendicular-Magnetic-Anisotropy CoFeB Racetrack Memory”, Journal of Applied Physics (JAP), vol.111, 093925, 2012.
8.Yue Zhang, Weisheng Zhao, Jacques-Olivier Klein, Dafiné Ravelosona and Claude Chappert, “Ultra-High Density Content Addressable Memory based on Current Induced Domain Wall Motion in Magnetic Track”, IEEE Transactions on Magnetics, vol.48, pp.3219-3222, 2012.
9.Yue Zhang, Chao Zhang, Jacques-Olivier Klein, Dafine Ravelosona, Guangyu Sun and Weisheng Zhao, “Perspectives of Racetrack memory based on current-induced domain wall motion: from device to system”, ISCAS, to appear in 2015. (invited paper)
10.Yue Zhang, Weisheng Zhao, Jacques-Olivier Klein, Wang Kang, Damien Querlioz, Youguang Zhang, Dafiné Ravelosona and Claude Chappert, “Spintronics for low power computing”, Design, Automation & Test in Europe (DATE), pp.1-6, Mars, 2014. (invited paper)
11.Yue Zhang, Erya Deng, Jacques-Olvier Klein, Damien Querlioz, Dafiné Ravelosona, Claude Chappert, Mathieu Moreau, Jean-Michel Portal, Marc Bocquet, H. Aziza, Damien Deleruyelle, Christrophe Muller and Weisheng Zhao, “Synchronous Full-Adder Based on Complementary Resistive Switching Memory Cells”, IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), pp. 1-4, June, 2013.
12.Yue Zhang, Weisheng Zhao, Jacques-Olivier Klein, Wang Kang, Damien Querlioz, Claude Chappert and Dafiné Ravelosona, “Multi-Level Cell Spin Transfer Torque MRAM Based on Stochastic Switching”, IEEE International Conference on Nanotechnology, pp.233-236, Aug, 2013.

?獲得主要榮譽(yù)
2013年國(guó)家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金
2012年Nanoarch國(guó)際會(huì)議最佳論文獎(jiǎng)
2013年NEWCAS國(guó)際會(huì)議最佳論文獎(jiǎng)
2014年ESREF國(guó)際會(huì)議最佳論文海報(bào)獎(jiǎng)

?社會(huì)學(xué)術(shù)兼職
2012-2014年 全法學(xué)者學(xué)生聯(lián)合會(huì)主席

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