揚(yáng)州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院導(dǎo)師：曾祥華 正文

　　導(dǎo)師簡(jiǎn)歷：
　　
　　曾祥華，博士、教授.1987年畢業(yè)于蘭州大學(xué)數(shù)學(xué)系獲計(jì)算數(shù)學(xué)理學(xué)學(xué)士學(xué)位，同年到中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所從事重離子碰撞輸運(yùn)研 究.1990-1994年中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所原子核物理專(zhuān)業(yè)碩士研究生并獲碩士學(xué)位；1996-1999年中科院近代物理研究所粒子物理與核物理專(zhuān) 業(yè)博士研究生并獲博士學(xué)位.1997年被聘為中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所副研究員，期間：1997.10-1998.10，德國(guó)慕尼黑技術(shù)大學(xué)、德國(guó)重離子 研究所訪問(wèn)學(xué)者.1999.7調(diào)入揚(yáng)州大學(xué)，2003年晉升為教授.期間：2004.元月－2004.4， 加拿大多倫多大學(xué)（Energenius Centre for Advanced Nanotechnology,Toronto University）高級(jí)納米技術(shù)中心合作研究.2002-2010.9, 揚(yáng)州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)，2010年9月-至今院長(zhǎng).目前是江蘇省半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長(zhǎng)，揚(yáng)州大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)重點(diǎn) 學(xué)科（碩士點(diǎn)）負(fù)責(zé)人, 揚(yáng)州大學(xué)光電材料與應(yīng)用研究所所長(zhǎng).發(fā)表論文70多篇，SCI收錄40多篇，授權(quán)專(zhuān)利4項(xiàng).
　　
　　Email: xhzeng@yzu.edu.cn, Tel: 0514-87975500
　　
　　主要研究領(lǐng)域：
　　
　　1）半導(dǎo)體發(fā)光材料的制備及性能研究
　　
　　2）高效發(fā)光二極管的應(yīng)用設(shè)計(jì).
　　
　　招收研究生的專(zhuān)業(yè)方向：
　　
　　微電子學(xué)與固體電子學(xué)（半導(dǎo)體發(fā)光材料及其應(yīng)用）
　　
　　2005年以來(lái)的代表性工作：
　　
　　1、原子分子、團(tuán)簇的相變及器件設(shè)計(jì)
　　
　　由幾十個(gè)納米直徑組成的多壁納米碳管具有理想的低摩擦、低磨損的特征，并且將納米碳管組裝成納米級(jí)的軸承，用納米碳管構(gòu)造千兆赫 (Gigahertz, GHz）納米振蕩器是微器件設(shè)計(jì)中的一種新的嘗試.已有高頻納米振蕩器的研究主要集中于利用雙臂納米碳管得高頻納米振蕩器.本課題組利用經(jīng)典分子動(dòng)力學(xué)模 型通過(guò)對(duì)稀有氣體原子在單臂納米碳管中的動(dòng)力學(xué)行為的研究,證明了他們?cè)诠苤械倪\(yùn)動(dòng)具有周期性振蕩結(jié)構(gòu)，研究發(fā)現(xiàn)通過(guò)控制管長(zhǎng)、管徑可以得到相應(yīng)的高頻納 米振蕩器.相關(guān)結(jié)果發(fā)表在J.Phys.Chem.B 2006,110（2012年被www.BioMedLib.com列為這一領(lǐng)域前20篇論文，2011年列為這一領(lǐng)域的前10篇論文）.利用分子動(dòng)力學(xué) 模型，研究了Ni金屬團(tuán)簇的熔合與相變,發(fā)現(xiàn)不同結(jié)構(gòu)的團(tuán)簇會(huì)出現(xiàn)不同的相變，通過(guò)模擬發(fā)現(xiàn)了直接熔合，表面熔合、玻璃團(tuán)簇等.相關(guān)結(jié)果將發(fā)表在 J.Phys.Chem.B 2007（它引12次）.（均為揚(yáng)州大學(xué)第一單位）
　　
　　2、高效GaN基LED的研制
　　
　　GaN基LED得到了快速發(fā)展并得到了廣泛應(yīng)用，高效、大功率LED的研制受到了廣泛關(guān)注，課題組自2007年以來(lái)在高效GaN基LED的研制方面開(kāi)展了一些研究工作.
　　
　　1）電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化對(duì)出光效率的影響
　　
　　由于GaN基發(fā)光二極管采用藍(lán)寶石襯底，而襯底不導(dǎo)電，制程得到的LED芯片的電極在同一側(cè)，導(dǎo)致電流的聚集效應(yīng)，串聯(lián)電阻增大、芯片發(fā)熱、引 起波長(zhǎng)紅移，降低芯片的性能.通過(guò)用Crosslight公司的Apsys專(zhuān)業(yè)軟件對(duì)13種電極的模擬，得到了優(yōu)化的芯片電極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步通過(guò)在2英寸外 延片，進(jìn)行制成，發(fā)現(xiàn)優(yōu)化電極形狀，可以減小芯片的電流聚集效應(yīng)，提高芯片電流分布的均勻性，改善芯片的光電性能.
　　
　　2）圖形藍(lán)寶石襯底技術(shù)
　　
　　由于藍(lán)寶石襯底和GaN緩沖層存在較大的晶格失配，在外延生長(zhǎng)過(guò)程中使得線位錯(cuò)密度增大，外延片的質(zhì)量降低.為減少生長(zhǎng)中的線位錯(cuò)密度，采用圖 形藍(lán)寶石襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)，可提高芯片的質(zhì)量.采用抗刻蝕性光刻膠作為掩膜，并利用光刻技術(shù)制作周期性結(jié)構(gòu)，進(jìn)行ICP干法刻蝕C面(0001）藍(lán)寶石制 作圖形藍(lán)寶石襯底；然后，在圖形藍(lán)寶石襯底上進(jìn)行MOCVD制作GaN基LED外延片.與同批平面藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的外延片的芯片測(cè)試結(jié)果相比，圖形藍(lán)寶 石襯底芯片的光強(qiáng)比普通藍(lán)寶石襯底的可提高40.0％以上.通過(guò)研究得到了品質(zhì)優(yōu)良的圖形藍(lán)寶石襯底的最佳工藝條件.
　　
　　3）ODR全反射技術(shù)
　　
　　大功率LED光提取效率比較低的一個(gè)重要原因是藍(lán)寶石襯底的厚度比較大，很大一部分有源區(qū)發(fā)射的光入射到襯底層被襯底吸收，從而大大降低光的提取效率，影響出光.為此，利 用全方向反射鏡（Omnidirectional Reflector，簡(jiǎn)稱(chēng)ODR）將有源區(qū)發(fā)出的射向襯底的光反射出去，提高芯片的出光效率.與同批沒(méi)有ODR的芯片對(duì)比實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，ODR芯片比普通芯片 的光通量、光效、色純度都有一定程度提高，封裝后ODR LED的色溫比普通LED的色溫低1804K，明顯改善大功率LED的色溫缺陷.
　　
　　3、ZnS及其慘雜納米結(jié)構(gòu)的制備及性能研究
　　
　　作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，ZnS在光學(xué)與電學(xué)上有很好的性能，因此在電子器件，發(fā)光器件，太陽(yáng)能電池，化工等領(lǐng)域有著很多的應(yīng)用.利用水熱法、熱 蒸發(fā)、PLD等工藝過(guò)程，可以實(shí)現(xiàn)納米顆粒、納米線、薄膜的制備，利用先進(jìn)的測(cè)試手段對(duì)微結(jié)構(gòu)、形貌等進(jìn)行表征，利用PL光譜分析發(fā)光的機(jī)理，項(xiàng)目組在這 一領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)展了一些研究工作.
　　
　　承擔(dān)的相關(guān)課題
　　
　　[1] 基于Eu摻雜ZnS實(shí)現(xiàn)白光LED（YZ2011150），揚(yáng)州市科技局，2012.6-2014.6, 10萬(wàn)元，負(fù)責(zé)人：曾祥華.
　　
　　[2] 高效GaN基LED的外延制備關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)（YZ2011005），揚(yáng)州市工業(yè)科技攻關(guān)與中小企業(yè)創(chuàng)新資金，2012.6-2014.6, 30萬(wàn)元，負(fù)責(zé)人：鐘偉榮/曾祥華.
　　
　　[3] 氣候系統(tǒng)模式關(guān)鍵物理過(guò)程不確定性對(duì)東亞氣候的影響研究子課題（編號(hào)201306048，25萬(wàn)元，2013.1-2016.12），國(guó)家氣象局，負(fù)責(zé)人：曾祥華.
　　
　　[4] 全球高分辨率大氣環(huán)流模式的研發(fā)及并行優(yōu)化算法技術(shù)研究子課題（編號(hào)：GYHY201106022，16萬(wàn)元，2011.1-2013.12），國(guó)家氣象局，負(fù)責(zé)人：曾祥華.
　　
　　[5] GaN基LED芯片的關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)（2010.12-2012.12，項(xiàng)目編號(hào)YZ2010153，10萬(wàn)元），揚(yáng)州市科技計(jì)劃項(xiàng)目, 負(fù)責(zé)人：孟祥東/曾祥華.
　　
　　[6] 高效、大功率GaN基LED芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化( 2011.1-2012.12，18萬(wàn)元），揚(yáng)州新光源科技開(kāi)發(fā)有限公司，負(fù)責(zé)人：曾祥華.
　　
　　[7] 曾祥華，氖氬、熒光輝光燈用陰極材料、氣體和發(fā)光材料分析和研制(10萬(wàn)元，2011.9-2014.12），揚(yáng)州虹揚(yáng)光電有限公司，負(fù)責(zé)人：曾祥華.
　　
　　[8] 寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備及應(yīng)用， 2009.12-2012.12，項(xiàng)目編號(hào)YZ2009092，15萬(wàn)元，揚(yáng)州市科技計(jì)劃項(xiàng)目，負(fù)責(zé)人：曾祥華.
　　
　　[9] 高效率GaN芯片電致發(fā)光的關(guān)鍵技術(shù)研究與產(chǎn)業(yè)化，2007-2009，項(xiàng)目編號(hào)BG2007026，125萬(wàn)元，江蘇省科技支撐計(jì)劃工業(yè)高技術(shù)研究重大項(xiàng)目，負(fù)責(zé)人：曾祥華，已結(jié)題.
　　
　　[10] 信息技術(shù)與應(yīng)用，揚(yáng)州大學(xué)參照“211工程”三期重點(diǎn)學(xué)科建設(shè)項(xiàng)目，2008 -2011, 300萬(wàn)元，負(fù)責(zé)人：曾祥華.已完成.
　　
　　[11] LED芯片設(shè)計(jì)與溫度相關(guān)的可靠性研究, 2008.4-2009.12, 17萬(wàn)元，江蘇省新光源半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心，負(fù)責(zé)人：曾祥華.已結(jié)題.
 

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