2021哈爾濱理工大學(xué)半導(dǎo)體物理研究生考試大綱 正文

半導(dǎo)體物理

適用專業(yè)名稱：電子信息類（0854）集成電路工程方向

參考書目：

《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科 朱秉升 羅晉生 電子工業(yè)出版社2011 第七版

一、 考試目的與要求

考察考生對(duì)半導(dǎo)體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎(chǔ)知識(shí)解決電子科學(xué)與技術(shù)相關(guān)問題的能力。要求考生對(duì)半導(dǎo)體物理的基本概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理中基本定律的推導(dǎo)、證明和應(yīng)用，并具有綜合運(yùn)用所學(xué)知識(shí)分析問題和解決問題的能力。
 

二、 試卷結(jié)構(gòu)（滿分100分）

半導(dǎo)體物理     100分
     題型比例：
     1．名詞解釋     約20分
     2．簡(jiǎn)答題       約40分
     3．計(jì)算題       約40分

三、考試內(nèi)容與要求

（一）半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)
考試內(nèi)容
半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)，半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶，半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，空穴，硅和鍺及III－V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
考試要求
1．了解半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)的基本概念。
2．理解半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶的基本概念。
3．掌握半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律，理解有效質(zhì)量的意義。
4．理解本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，理解空穴的概念。
5．理解硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)，掌握有效質(zhì)量的計(jì)算方法。
6．了解III－V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
 
（二）半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
考試內(nèi)容
半導(dǎo)硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)。
考試要求
1．理解替位式雜質(zhì)、間隙式雜質(zhì)、施主雜質(zhì)、施主能級(jí)、受主雜質(zhì)、受主能級(jí)的概念。
2．簡(jiǎn)單計(jì)算淺能級(jí)雜質(zhì)電離能。
3．了解雜質(zhì)的補(bǔ)償作用、深能級(jí)雜質(zhì)的概念。
 
（三）半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
考試內(nèi)容
狀態(tài)密度，費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布，本征半導(dǎo)體的載流子濃度，雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。
考試要求
1．理解并熟練掌握狀態(tài)密度的概念和表示方法。
2．理解并熟練掌握費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布。
3．理解并熟練掌握本征半導(dǎo)體的載流子濃度的概念和表示方法。
4．理解并熟練掌握雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度的概念和表示方法。
5．理解并掌握一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布。
6．理解并熟練掌握簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的概念，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的載流子濃度的表示方法，簡(jiǎn)并化條件。了解禁帶變窄效應(yīng)。
 
（四）半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
考試內(nèi)容
載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)，熱載流子。
考試要求
1．理解遷移率的概念。并熟練掌握載流子的漂移運(yùn)動(dòng)。
2．理解載流子的散射的概念。

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